Быстродействующее графеновое записывающее устройство магниторезистивной памяти

Полезная модель относится к области спинтроники и компьютерных технологий и предназначена для использования в оперативных запоминающих устройствах. Магниторезистивная оперативная память состоит из двух магнитных слоев (фиксированный и свободный магнитные слои), разделенных тонким диэлектрическим туннельным барьером, и основана на перспективной технологии, в которой для хранения информации используется не электрический заряд, а магнитное состояние вещества. Однако использование внешнего магнитного поля создает технические сложности при конструировании современных устройств памяти. Магниторезистивная оперативная память с переносом спина позволяет решить эти проблемы и создавать ячейки энергонезависимой оперативной памяти с улучшенными характеристиками и на нанометровом масштабе. Для этого, для изменения магнитного состояния свободного слоя в запоминающей ячейке памяти, применяется не внешнее магнитное поле, а перенос спинового момента (spin-transfer torque). И для переноса спинового момента в устройстве используется контакт FM (свободн. магн. слой)/Pt, а генерация спиновых токов осуществляется в контакте графен/Au/SiC.